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KDS晶振,溫補晶振,DSB211SDM晶振,1XXD26000JHC晶振
頻率：12.288M~52MHZ尺寸：2.0x1.6mm溫補晶振（TCXO）產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產品性能穩定,精度高等優勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產品領域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產品,符合RoHS/無鉛.
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DSB221SDN50MHZ,KDS智能手機晶振,2520mm溫補晶振
頻率：50MHz尺寸：2520mmDSB221SDN50MHZ,KDS智能手機晶振,2520mm溫補晶振,50MHz頻率精準匹配智能手機處理器,射頻芯片的工作需求.產品經過嚴苛環境測試,具備優異的耐熱性與抗沖擊性,啟動時間≤2ms,確保手機快速開機響應.1.8V-3.3V低電壓供電設計,結合≤2.0mA的低電流消耗,完美平衡性能與功耗,廣泛適配旗艦機,中端機型及折疊屏手機等各類智能終端.
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1XXD16368MGA,TCXO振蕩器,KDS大真空晶振,DSB211SDN,日本進口晶振
頻率：16.368MHz尺寸：2.0*1.6mm1XXD16368MGA,TCXO振蕩器,KDS大真空晶振,DSB211SDN,日本進口晶振，隨著科技的高速發展,貼片晶振也逐漸跟著小型化,體積從早期的7050mm,5032mm 等體積到現如今的 2016 貼片晶振,體積的變小也是產品帶來了更高的穩定性能。1XXD16368MGA 為日本進口晶振，DSB211SDN系列，該晶振的頻率是16.368MHz，尺寸2.0*1.6mm，屬于是TCXO振蕩器。該KDS大真空晶振支持低電壓，低相位噪音，單體結構，多用于手機、GPS/GNSS、工業用無線通信設備等。
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進口KDS晶振,1XXB16368MAA,溫補振蕩器,DSB221SDN,2520貼片晶振
頻率：16.368MHz尺寸：2.5*2.0mm日本進口KDS大真空晶振，DSB221SDN系列，小體積2520貼片晶振，低電壓操作，低相位噪聲，單封裝結構。應用于手機，GPS/GNSS 和工業無線電通信等。1XXB16368MAA為進口KDS晶振，屬于是溫補晶體振蕩器。溫補晶振（TCXO）產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝。
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DSB321SDN,溫度補償晶振,32.768M,3225進口貼片,1XTW32768MEA
頻率：32.768MHz尺寸：3.2*2.5*0.9mmDSB321SDN,溫度補償晶振,32.768M,3225進口貼片,1XTW32768MEA 溫度補償晶體振蕩器又稱溫補晶振，英文簡稱為TCXO，是在一定的溫度范圍內通過一定的補償方式，而保持晶體振蕩器的輸出頻率在一定的精度范圍內的晶體振蕩器。日本KDS晶振中的DSB321SDN系列晶振就是一款TCXO晶振，3225尺寸，支持低電壓，低相位噪聲，為單體結構。該系列中的1XTW32768MEA 晶振的頻率是32.768MHz，3225貼片晶振，電壓3.3V，多用于手機、GPS/GNSS、工業用無線通信設備等。
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大真空晶振,DSB211SDN晶振,1XXD40000PDA?,數字設備晶振
頻率：40MHz尺寸：2.0×1.6mm大真空晶振,DSB211SDN晶振,1XXD40000PDA,數字設備晶振,日本大真空晶振,KDS有源晶振,石英晶體振蕩器,2.0x1.6石英晶體,DSB211SDN晶振,1XXD40000PDA晶振,進口貼片晶振,溫補晶振,TCXO晶振,頻率40MHz,電壓3.3V,頻率穩定性1.5ppm,工作溫度-40~85°C,低相位抖動晶振,高可靠性晶振,無鉛環保晶振,數字設備晶振,無線通信設備晶振,智能家居應用晶振,消費電子產品晶振.
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DSB211SDN晶振,1XXD38400MFA,38.4MHz溫補晶振
頻率：38.4MHz尺寸：2.0×1.6mmDSB211SDN晶振,1XXD38400MFA,38.4MHz溫補晶振,日本大真空晶振,KDS晶振,進口有源晶振,DSB211SDN晶振,1XXD38400MFA晶振,38.4MHz溫補晶振,2016mm貼片晶振,石英晶體振蕩器,SMD晶振,電壓3.3V,頻率穩定性1.5ppm,工作溫度-40~85°C,低損耗晶振,高性能晶振,超小型晶振,全球衛星導航晶振,調制解調器晶振,個人電腦外圍設備晶振,移動應用晶振.
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KDS晶振,DSB211SDN溫補晶振,1XXD26000MAA,移動通信晶振
頻率：26MHz尺寸：2.0×1.6mmKDS晶振,DSB211SDN溫補晶振,1XXD26000MAA,移動通信晶振,日本進口晶振,KDS晶振,DSB211SDN溫補晶振,1XXD26000MAA晶振,TCXO晶振,2016mm晶振,溫補晶體振蕩器,四腳貼片晶振,頻率26MHz,電壓3.3V,頻率穩定性1.5ppm,工作溫度-40~85°C,低抖動晶振,低電壓電源晶振,高可靠晶振,移動通信晶振,移動電話晶振,便攜式設備晶振,智能多媒體設備晶振.
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KDS晶振,溫補晶振,DSB321SJ晶振
頻率：10M~40MHZ尺寸：3.2x2.5mm貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
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KDS晶振,溫補有源晶振,DSB221SJ晶振
頻率：10M~40MHZ尺寸：2.5x2.0mmm小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.
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KDS晶振,溫補晶體振蕩器,DSB211SJ晶振
頻率：10M~40MHZ尺寸：2.0x1.6mm溫補晶振（TCXO）產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度~85度,電源電壓:1.8V~3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產品性能穩定,精度高等優勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產品領域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產品,符合RoHS/無鉛.
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KDS晶振,32.768K溫補晶振,DSK321STD晶振,DSK321STA晶振
頻率：32.768KHZ尺寸：3.2x2.5mm小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.
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日本大真空晶體,溫補晶振,DSB751HA晶振
頻率：10M~20MHZ尺寸：5.0x7.0mm溫補晶振（TCXO）產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度~85度,電源電壓:1.8V~3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產品性能穩定,精度高等優勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產品領域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產品,符合RoHS/無鉛.
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日本大真空晶體,有源晶振,DSB221SDT晶振
頻率：9.6M~52MHZ尺寸：2.5x2.0mm2520溫補晶振（TCXO）產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM~2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度~85度,電源電壓:1.8V~3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產品性能穩定,精度高等優勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產品領域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產品,符合RoHS/無鉛.
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日本大真空晶體,石英晶體振蕩器,DSB211SDT晶振
頻率：12.288M~52MHZ尺寸：2.0x1.6mm2016mm體積的溫補晶振（TCXO）,是目前有源晶振中體積最小的一款,產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對應IC可能) 高度：最高0.8 mm,體積：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.（可對應回流焊）無鉛產品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC（頻率控制）功能,Enable/Disable功能,產品本身可根據使用需要進行選擇.
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KDS晶振,TCXO晶振,DSB321SE晶振
頻率：9.6M~40MHZ尺寸：3.2x2.5mm溫補晶振（TCXO）產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產品性能穩定,精度高等優勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產品領域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產品,符合RoHS/無鉛.
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KDS晶振,TCXO晶振,DSB221SE晶振
頻率：9.6M~40MHZ尺寸：2.5x2.0mm溫補晶振（TCXO）產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產品性能穩定,精度高等優勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產品領域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產品,符合RoHS/無鉛.
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日本大真空晶體,石英晶體振蕩器,DSB535SC晶振
頻率：10M~30MHZ尺寸：5.0x3.2mm有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
最新資訊 / News
關于無源晶振有源晶振不同之處的分析報告
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關于無源晶振有源晶振不同之處的分析報告
【更多詳情】無源晶體--無源晶體需要用DSP片內的振蕩器,在datasheet上有建議的連接方法.無源晶體沒有電壓的問題,信號電平是可變的,也就是說是根據起振電路來決定的,同樣的石英晶振晶體可以適用于多種電壓,可用于多種不同時鐘信號電壓要求的DSP,而且價格通常也較低,因此對于一般的應用如果條件許可建議用晶體.
有源晶振--石英晶體振蕩器,壓控晶振,溫補晶振等均屬于有源晶振,是相較于無源晶振不需要DSP的內部振蕩器,信號質量好,比較穩定,而且連接方式相對簡單（主要是做好電源濾波,通常使用一個電容和電感構成的PI型濾波網絡,輸出端用一個小阻值的電阻過濾信號即可）,不需要復雜的配置電路.
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