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TCD4032-19.20M,壓控溫補(bǔ)晶振,Pletronics晶振,5032有源晶振,TCD4石英振蕩器
頻率：19.2MHz
尺寸：5.00 x 3.20mm
TCD4032-19.20M,壓控溫補(bǔ)晶振,Pletronics晶振,5032有源晶振,TCD4石英振蕩器
在電子設(shè)備對(duì)頻率穩(wěn)定性和靈活性要求日益提升的當(dāng)下，Pletronics晶振的 TCD4032 - 19.20M 壓控溫補(bǔ)晶振表現(xiàn)出色。它采用5032貼片晶振封裝，這種小巧的貼片式設(shè)計(jì)能很好地適應(yīng)現(xiàn)代電子設(shè)備小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)，便于在各類(lèi)電路板上安裝。
作為壓控溫補(bǔ)晶振（VC - TCXO），它融合了壓控和溫補(bǔ)兩種功能。一方面，先進(jìn)的溫度補(bǔ)償技術(shù)讓它能實(shí)時(shí)感知環(huán)境溫度變化，并迅速調(diào)整輸出頻率，確保在不同溫度條件下都能輸出精準(zhǔn)穩(wěn)定的 19.20MHz 頻率。另一方面，壓控功能使得用戶可以通過(guò)電壓對(duì)頻率進(jìn)行微調(diào)，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的特殊需求。
該石英晶體振蕩器具備良好的抗干擾能力，在復(fù)雜的電磁環(huán)境中也能保持穩(wěn)定性能。廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、衛(wèi)星導(dǎo)航等對(duì)頻率精度和穩(wěn)定性要求極高的領(lǐng)域，為設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供了堅(jiān)實(shí)保障。
TCD4032-19.20M,壓控溫補(bǔ)晶振,Pletronics晶振,5032有源晶振,TCD4石英振蕩器
| Parameter | Min | Typ | Max | Unit | |||||
| Frequency Range 2 | 10 | - | 40 | MHz | |||||
| Frequency Stability vs. Temperature 2 | ±0.5 | - | ±2.5 | ppm | |||||
| Frequency Initial Calibration | - | - | ±2.0 | ppm | |||||
| Operating Temperature Range 2 | -40 | - | +85 | °C | |||||
| Supply Voltage 1, 2 VCC | 1.8 | - | 3.3 | Volts | |||||
| Supply Current ICC | - | 2.0 | 3.0 | mA | |||||
| Frequency Stability vs. Supply | - | - | ±0.2 | ppm | |||||
| Frequency Stability vs. Load | - | - | ±0.2 | ppm | |||||
| Vcontrol Range |
0.50 0.30 |
1.50 0.90 |
2.50 1.50 |
Volts | |||||
| Frequency Pullability 2 | 0 | ±8.0 | ±12.0 | ppm | |||||
| Output Waveform | 削峰正弦波晶振 | ||||||||
| Output Level | 0.8 | - | - | V p-p | |||||
| Startup Time | - | - | 10.0 | mS | |||||
| Long Term Stability (Aging) | - | - | ±1.0 | ppm | |||||
|
Phase Noise 100 Hz
1 kHz
10 kHz
100 kHz
|
- |
-110 -130 -145 -145 |
- | dBc/Hz | |||||
| Storage Temperature Range | -55 | - | +95 | °C | |||||
TCD4032-19.20M,壓控溫補(bǔ)晶振,Pletronics晶振,5032有源晶振,TCD4石英振蕩器
TCD4032-19.20M,壓控溫補(bǔ)晶振,Pletronics晶振,5032有源晶振,TCD4石英振蕩器
所有有源晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用石英晶振產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
6、靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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